I ricercatori dell’Univerità di Cambridge, hanno sviluppato una nuova forma di ossido di afnio (HfO2), un composto usato nella produzione di circuiti integrati e per nuovi prototipi di memorie non-volatili.
L’ossido di afnio è utilizzato nel processo di produzione HKMG (high-K metal gate) nella nanoelettronica. Il nuovo ossido, grazie ad una costante dielettrica superiore, dovrebbe consentire una maggior miniaturizzazione dei dispositivi oltre ad aprire nuove possibilità per le future generazioni di dispositivi opto-elettronici.
Gli ossidi metallici sono generalmente ottenuti tramite un processo di bombardamento di ioni positivi pesanti su di un elettrodo, dal quale vengono espulsi alcuni atomi. Il nuovo ossido di afnio ha una costante dielettrica superiore a 30, contro un valore di 20 degli ossidi di afnio fino ad ora ottenuti.
La Cambridge Enterprise, il gruppo di commerciale dell’università, ha dichiarato che sta cercando un partner per lo sviluppo della scoperta e per il brevetto del materiale.
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